你知道多少制備石墨烯的方法
你知道多少制備石墨烯的方法
該中試裝置采用不需要PMMA的制造工藝開發。為此，我們將一英寸的CVD石墨烯（生長在銅上）旋轉到Nafion溶液（5%當量）上。然后，在碳布電極（浸漬Vulcan催化劑上的20%鉑）和旋涂CVD石墨烯。最后，將所得結構置于過硫酸銨溶液中蝕刻銅并在去離子水中沖洗。在此階段，石墨烯粘附在Nafion膜上；這可以通過光學和掃描電鏡進行檢查。重要的是，可以通過大約10 kO的膜電阻率來驗證覆蓋范圍。hm/square在我們的案例中；我們95%光學驗證的CVD覆蓋范圍可以得到確認。
為了測試所得薄膜的氫正離子選擇性，我們將鉑（2nm）蒸發在石墨烯薄膜上，并將碳布電極壓在其上，形成良好的電接觸。與微型器件一樣，我們通過在輸入端將薄膜暴露于不同的H-D比來研究氫正離子的滲透。我們發現，在輸入端，薄膜中的氫正離子透過率為0.5%。膜保留了它的選擇性，事實上，我們測量了質子-氘核分離9。相反，沒有一個石墨烯大小相同的器件顯示出完全沒有選擇性，這與我們之前的結果一致。
當使用PMMA時，CVD石墨烯被涂上PMMA，銅被蝕刻，留下一層PMMA涂層的石墨烯薄膜漂浮在蝕刻溶液中。該薄膜需要轉移到目標基板上。PMMA層非常薄（在納米尺度上），這意味著從蝕刻溶液中去除石墨烯/PMMA薄膜特別精細。它是PMMA工藝的規模難以擴大，CVD石墨烯通過1英寸規模的器件直接刻印在目標基板上。
此外，評估與所述同位素分離方法相關的潛在能源成本是有用的。對于鉑活化石墨烯，質子導電率為100ms /cm2。使用低壓V_0.1V可以很容易地實現質子電流i=_v_100a/m2，以避免石墨烯界面形成氣泡。這將轉換為o H2生產率r=i/2nae_2摩爾每小時每平方米（其中na為阿伏伽德羅數），生產能量為iv/r=2naev_5wh/mole或0.3kwh/kg的給水，這比現有濃縮過程中較高的能源成本更為有利，原則上，用鉑活化的hbn和_1ms/cm2可以獲得更高的產量。（100次）。
由石墨烯和六角氮化硼（HBN）單層（它們對熱質子具有意想不到的滲透性）制備出二維質子導電膜。我們還發現，通過用催化納米顆粒裝飾單層二維材料（包括但不限于石墨烯和HBN），可以進一步降低質子屏障。因此，當其它二維材料經催化金屬處理后也能產生質子傳導，這種原子薄質子導體方法在許多氫基技術中具有良好的應用前景。
當然，石墨烯薄膜的制備方法有很多，以后會介紹給大家，另外，重慶遠世盛石墨烯薄膜工業有限公司還可以采用液相法和卷對卷工藝生產大量透明導電石墨烯薄膜，薄膜的參數比較好。d.
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