石墨烯取向附生法—晶膜生長

取向附生法—晶膜生長

1、取向附生法是利用生長基質(zhì)原子結(jié)構(gòu)“種”出石墨烯，首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕，

2、然后冷卻，冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會浮到釕表面，鏡片形狀的單層的碳原子“ 孤島” 布滿了整個基質(zhì)表面，

3、最終它們可長成完整的一層石 墨烯。第一層覆蓋 8 0 ％后，第二層開始生長。

4、底層的石墨烯會與釕產(chǎn)生強(qiáng)烈的交互作用，而第二層后就幾乎與釕完全分離，只剩下弱電耦合，得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人滿意。

5、但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會影 響碳層的特性。

6、另外Peter W.Sutter 等使用的基質(zhì)是稀有金屬釕。

石墨烯的合成方法主要有兩種：機(jī)械方法和化學(xué)方法。

機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ； 化學(xué)方法是化學(xué)還原法與化學(xué)解理法。